ગ્રેફાઇટ એનોડ મટિરિયલ્સના ઘણા તકનીકી સૂચકાંકો છે, અને તે ધ્યાનમાં લેવું મુશ્કેલ છે, મુખ્યત્વે ચોક્કસ સપાટી ક્ષેત્ર, કણોના કદના વિતરણ, નળની ઘનતા, કોમ્પેક્શનની ઘનતા, સાચી ઘનતા, પ્રથમ ચાર્જ અને ડિસ્ચાર્જ વિશિષ્ટ ક્ષમતા, પ્રથમ કાર્યક્ષમતા, વગેરેનો સમાવેશ થાય છે. આ ઉપરાંત, ત્યાં ઇલેક્ટ્રોકેમિકલ સૂચકાંકો છે જેમ કે સાયકલ પર્ફોર્મન્સ, રેટ પર્ફોર્મન્સ, સોજો અને તેથી વધુ. તેથી, ગ્રેફાઇટ એનોડ સામગ્રીના પ્રભાવ સૂચકાંકો શું છે? નીચેની સામગ્રી તમને એચસીમિલિંગ (ગિલિન હોંગચેંગ) દ્વારા રજૂ કરવામાં આવી છે, જે ઉત્પાદક છેએનોડ સામગ્રી ગ્રાઇન્ડીંગ મિલ.

01 વિશિષ્ટ સપાટી ક્ષેત્ર

એકમ સમૂહ દીઠ object બ્જેક્ટના સપાટીના ક્ષેત્રનો સંદર્ભ આપે છે. કણો જેટલો નાનો છે, તેટલું મોટું સપાટી ક્ષેત્ર.

નાના કણો અને ઉચ્ચ વિશિષ્ટ સપાટીના ક્ષેત્રમાં નકારાત્મક ઇલેક્ટ્રોડમાં લિથિયમ આયન સ્થળાંતર માટે વધુ ચેનલો અને ટૂંકા માર્ગો છે, અને દર પ્રદર્શન વધુ સારું છે. જો કે, ઇલેક્ટ્રોલાઇટ સાથેના મોટા સંપર્ક ક્ષેત્રને કારણે, એસઇઆઈ ફિલ્મ બનાવવાનો વિસ્તાર પણ મોટો છે, અને પ્રારંભિક કાર્યક્ષમતા પણ ઓછી થઈ જશે. . બીજી બાજુ, મોટા કણોમાં વધુ કોમ્પેક્શન ઘનતાનો ફાયદો છે.

ગ્રેફાઇટ એનોડ મટિરિયલ્સનો વિશિષ્ટ સપાટી વિસ્તાર પ્રાધાન્ય 5 એમ 2/જી કરતા ઓછો છે.

02 સૂક્ષ્મ કદના વિતરણ

તેના ઇલેક્ટ્રોકેમિકલ પ્રભાવ પર ગ્રેફાઇટ એનોડ મટિરિયલના કણ કદનો પ્રભાવ એ છે કે એનોડ સામગ્રીનો કણો કદ સામગ્રીની નળની ઘનતા અને સામગ્રીના વિશિષ્ટ સપાટીના ક્ષેત્રને સીધી અસર કરશે.

નળની ઘનતાનું કદ સામગ્રીના વોલ્યુમ energy ર્જા ઘનતાને સીધી અસર કરશે, અને સામગ્રીનું ફક્ત યોગ્ય કણો કદનું વિતરણ સામગ્રીના પ્રભાવને મહત્તમ કરી શકે છે.

03 ટેપ ડેન્સિટી

નળની ઘનતા એ સ્પંદન દ્વારા માપવામાં આવેલ એકમ વોલ્યુમ દીઠ સમૂહ છે જે પાવડરને પ્રમાણમાં ચુસ્ત પેકિંગ સ્વરૂપમાં દેખાય છે. સક્રિય સામગ્રીને માપવા તે એક મહત્વપૂર્ણ સૂચક છે. લિથિયમ-આયન બેટરીનું વોલ્યુમ મર્યાદિત છે. જો નળની ઘનતા વધારે છે, તો એકમ વોલ્યુમ દીઠ સક્રિય સામગ્રીમાં મોટો સમૂહ હોય છે, અને વોલ્યુમ ક્ષમતા વધારે હોય છે.

04 કોમ્પેક્શન ઘનતા

કોમ્પેક્શન ઘનતા મુખ્યત્વે ધ્રુવના ટુકડા માટે છે, જે નકારાત્મક ઇલેક્ટ્રોડ સક્રિય સામગ્રી પછી રોલિંગ પછી ઘનતાનો સંદર્ભ આપે છે અને બાઈન્ડર ધ્રુવના ભાગમાં બનાવવામાં આવે છે, કોમ્પેક્શન ડેન્સિટી = ક્ષેત્રની ઘનતા / (રોલિંગ બાદબાકી પછી ધ્રુવ પીસની જાડાઈ કોપર વરખની જાડાઈ).

કોમ્પેક્શન ઘનતા શીટની વિશિષ્ટ ક્ષમતા, કાર્યક્ષમતા, આંતરિક પ્રતિકાર અને બેટરી ચક્ર પ્રદર્શન સાથે નજીકથી સંબંધિત છે.

કોમ્પેક્શનની ઘનતાના પરિબળોને પ્રભાવિત કરે છે: કણોનું કદ, વિતરણ અને મોર્ફોલોજીની અસર પડે છે.

05 સાચી ઘનતા

એકદમ ગા ense સ્થિતિમાં સામગ્રીના એકમ વોલ્યુમ દીઠ નક્કર પદાર્થનું વજન (આંતરિક વ o ઇડ્સને બાદ કરતાં).

સાચી ઘનતા કોમ્પેક્ટેડ સ્થિતિમાં માપવામાં આવે છે, તેથી તે ટેપ કરેલા ઘનતા કરતા વધારે હશે. સામાન્ય રીતે, સાચી ઘનતા> કોમ્પેક્ટેડ ડેન્સિટી> ટેપ ડેન્સિટી.

06 પ્રથમ ચાર્જ અને વિસર્જન ચોક્કસ ક્ષમતા

પ્રારંભિક ચાર્જ-ડિસ્ચાર્જ ચક્રમાં ગ્રેફાઇટ એનોડ સામગ્રીની ઉલટાવી શકાય તેવું ક્ષમતા છે. લિથિયમ-આયન બેટરીની પ્રથમ ચાર્જિંગ પ્રક્રિયા દરમિયાન, એનોડ સામગ્રીની સપાટી લિથિયમ આયનો સાથે ઇન્ટરક્લેટેડ હોય છે અને ઇલેક્ટ્રોલાઇટમાં દ્રાવક પરમાણુઓ સહ-દાખલ કરવામાં આવે છે, અને એનોડ સામગ્રીની સપાટી એસઇઆઈ રચવા માટે વિઘટિત થાય છે. પેસિવેશન ફિલ્મ. નકારાત્મક ઇલેક્ટ્રોડ સપાટી એસઇઆઈ ફિલ્મ દ્વારા સંપૂર્ણપણે આવરી લેવામાં આવ્યા પછી, દ્રાવક પરમાણુઓ ઇન્ટરકલેટ કરી શક્યા નહીં, અને પ્રતિક્રિયા બંધ થઈ ગઈ. સેઇ ફિલ્મની પે generation ી લિથિયમ આયનોનો ભાગ લે છે, અને સ્રાવ પ્રક્રિયા દરમિયાન નકારાત્મક ઇલેક્ટ્રોડની સપાટીથી લિથિયમ આયનોનો આ ભાગ કા racted ી શકાતો નથી, આમ ઉલટાવી શકાય તેવું ક્ષમતા નુકસાનનું કારણ બને છે, ત્યાં પ્રથમ સ્રાવની વિશિષ્ટ ક્ષમતાને ઘટાડે છે.

07 પ્રથમ કુલોમ્બ કાર્યક્ષમતા

એનોડ સામગ્રીના પ્રભાવનું મૂલ્યાંકન કરવા માટે એક મહત્વપૂર્ણ સૂચક એ તેની પ્રથમ ચાર્જ-ડિસ્ચાર્જ કાર્યક્ષમતા છે, જેને પ્રથમ કુલોમ્બ કાર્યક્ષમતા તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે. પ્રથમ વખત, કુલોમ્બિક કાર્યક્ષમતા સીધી ઇલેક્ટ્રોડ સામગ્રીનું પ્રદર્શન નક્કી કરે છે.

સેઇ ફિલ્મ મોટે ભાગે ઇલેક્ટ્રોડ સામગ્રીની સપાટી પર રચાયેલી હોવાથી, ઇલેક્ટ્રોડ સામગ્રીનો વિશિષ્ટ સપાટી વિસ્તાર સીઆઈઆઈ ફિલ્મના રચના ક્ષેત્રને સીધો અસર કરે છે. વિશિષ્ટ સપાટી ક્ષેત્ર જેટલું મોટું છે, ઇલેક્ટ્રોલાઇટ સાથેનો સંપર્ક વિસ્તાર અને સેઇ ફિલ્મ બનાવવા માટેનો વિસ્તાર મોટો.

સામાન્ય રીતે એવું માનવામાં આવે છે કે સ્થિર સેઇ ફિલ્મની રચના બેટરીના ચાર્જિંગ અને ડિસ્ચાર્જ માટે ફાયદાકારક છે, અને અસ્થિર એસઇઆઈ ફિલ્મ પ્રતિક્રિયા માટે પ્રતિકૂળ છે, જે સતત ઇલેક્ટ્રોલાઇટનો વપરાશ કરશે, સેઇ ફિલ્મની જાડાઈને ગા en, અને આંતરિક પ્રતિકાર વધારવો.

08 ચક્ર કામગીરી

બેટરીનું ચક્ર પ્રદર્શન ચાર્જ અને વિસર્જનની સંખ્યાને સંદર્ભિત કરે છે જે બેટરી ચોક્કસ ચાર્જ હેઠળ અનુભવે છે અને જ્યારે બેટરી ક્ષમતા કોઈ ચોક્કસ મૂલ્ય પર આવે છે. ચક્રના પ્રદર્શનની દ્રષ્ટિએ, SEI ફિલ્મ લિથિયમ આયનોના ફેલાવોને અમુક હદ સુધી અવરોધે છે. જેમ જેમ ચક્રની સંખ્યા વધતી જાય છે, સેઇ ફિલ્મ નકારાત્મક ઇલેક્ટ્રોડની સપાટી પર પડતી, છાલ કા and ી નાખવાની અને થાપણ ચાલુ રાખશે, પરિણામે નકારાત્મક ઇલેક્ટ્રોડના આંતરિક પ્રતિકારમાં ધીમે ધીમે વધારો થશે, જે ગરમીનો સંચય અને ક્ષમતા ખોટ લાવે છે .

09 વિસ્તરણ

વિસ્તરણ અને ચક્ર જીવન વચ્ચે સકારાત્મક સંબંધ છે. નકારાત્મક ઇલેક્ટ્રોડ વિસ્તર્યા પછી, પ્રથમ, વિન્ડિંગ કોર વિકૃત થઈ જશે, નકારાત્મક ઇલેક્ટ્રોડ કણો માઇક્રો-ક્રેક્સ રચશે, એસઇઆઈ ફિલ્મ તૂટી અને ફરીથી ગોઠવવામાં આવશે, ઇલેક્ટ્રોલાઇટનો વપરાશ થશે, અને ચક્રનું પ્રદર્શન બગડશે; બીજું, ડાયાફ્રેમ સ્ક્વિઝ્ડ કરવામાં આવશે. દબાણ, ખાસ કરીને ધ્રુવના કાનની જમણી-એંગલ ધાર પર ડાયાફ્રેમનો બહાર નીકળવું ખૂબ ગંભીર છે, અને ચાર્જ-ડિસ્ચાર્જ ચક્રની પ્રગતિ સાથે માઇક્રો-શોર્ટ સર્કિટ અથવા માઇક્રો-મેટલ લિથિયમ વરસાદનું કારણ બને છે.

જ્યાં સુધી વિસ્તરણ પોતે જ સંબંધિત છે, લિથિયમ આયનો ગ્રાફાઇટ ઇન્ટરકલેશન પ્રક્રિયા દરમિયાન ગ્રેફાઇટ ઇન્ટરલેયર અંતરમાં જડિત કરવામાં આવશે, પરિણામે ઇન્ટરલેયર અંતર અને વોલ્યુમમાં વધારો થશે. આ વિસ્તરણ ભાગ ઉલટાવી શકાય તેવું છે. વિસ્તરણની માત્રા નકારાત્મક ઇલેક્ટ્રોડના અભિગમની ડિગ્રી, ઓરિએન્ટેશન = I004/I110 ની ડિગ્રી સાથે સંબંધિત છે, જે XRD ડેટામાંથી ગણતરી કરી શકાય છે. એનિસોટ્રોપિક ગ્રેફાઇટ સામગ્રી લિથિયમ ઇન્ટરકલેશન પ્રક્રિયા દરમિયાન સમાન દિશા (ગ્રેફાઇટ ક્રિસ્ટલની સી-અક્ષ દિશા) માં જાળીના વિસ્તરણમાંથી પસાર થાય છે, જે બેટરીના મોટા વોલ્યુમ વિસ્તરણમાં પરિણમે છે.

10દર -કામગીરી

ગ્રેફાઇટ એનોડ મટિરિયલમાં લિથિયમ આયનોના પ્રસારમાં મજબૂત દિશા છે, એટલે કે, તે ફક્ત ગ્રેફાઇટ ક્રિસ્ટલના સી-અક્ષના અંતિમ ચહેરા પર કાટખૂણે દાખલ કરી શકાય છે. નાના કણો અને ઉચ્ચ વિશિષ્ટ સપાટીના ક્ષેત્રમાં એનોડ મટિરિયલ્સમાં વધુ સારું પ્રદર્શન હોય છે. આ ઉપરાંત, ઇલેક્ટ્રોડ સપાટી પ્રતિકાર (SEI ફિલ્મને કારણે) અને ઇલેક્ટ્રોડ વાહકતા પણ દરના પ્રભાવને અસર કરે છે.

સાયકલ લાઇફ અને વિસ્તરણની જેમ, આઇસોટ્રોપિક નેગેટિવ ઇલેક્ટ્રોડમાં ઘણી લિથિયમ આયન પરિવહન ચેનલો હોય છે, જે એનિસોટ્રોપિક બંધારણમાં ઓછા પ્રવેશદ્વાર અને ઓછા પ્રસરણ દરની સમસ્યાઓનું નિરાકરણ લાવે છે. મોટાભાગની સામગ્રી તેમના દરના પ્રભાવને સુધારવા માટે દાણાદાર અને કોટિંગ જેવી તકનીકીઓનો ઉપયોગ કરે છે.

એચસીમિલિંગ (ગિલિન હોંગચેંગ) એનોડ મટિરીયલ્સ ગ્રાઇન્ડીંગ મિલના ઉત્પાદક છે.HLMX શ્રેણીએનોડ સામગ્રી સુપર-ફાઇન વર્ટિકલ મિલ, Hાંકીએનોડ સામગ્રી અતિ-મિલઅને અમારા દ્વારા ઉત્પાદિત અન્ય ગ્રેફાઇટ ગ્રાઇન્ડીંગ મિલનો ઉપયોગ ગ્રેફાઇટ એનોડ સામગ્રીના ઉત્પાદનમાં વ્યાપકપણે કરવામાં આવ્યો છે. જો તમારી પાસે સંબંધિત જરૂરિયાતો છે, તો કૃપા કરીને ઉપકરણોની વિગતો માટે અમારો સંપર્ક કરો અને અમને અનુસરવાની માહિતી પ્રદાન કરો:

કાચા માલનું નામ

ઉત્પાદન સુંદરતા (જાળીદાર/μm)

ક્ષમતા (ટી/એચ)